[发明专利]利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法

摘要

本发明提供一种利用温场可调的晶体生长装置制备溴化镧铈晶体的方法，采用一种可调节尺寸，容易更换的保温材料层，且只需要一段式加热，无需晶转和平台上升下降系统。通过调节保温材料层的尺寸，使炉子温场适合于溴化镧铈晶体生长。本发明采用无运动机构完全静态的方法进行晶体生长。克服了以往坩埚下降法对下降系统精密度要求高，炉子之间差异较大不好批量复制，占用空间大等缺点。溴化镧铈晶体易实现程序化生长，对溴化镧铈晶体生长面控制极为有利，生长环境稳定，可有效避免晶体缺陷。晶体生长装置的制作简单，方便维护清理。

主权项

1.一种温场可调的晶体生长装置，其特征在于，包括炉盖、保温层、加热炉管、电阻丝、刚玉空心圆管、保温粉料、热电偶和控温仪；其中，所述保温层是由多层硅酸铝保温材料由上至下堆叠而成的圆环状层积结构，最下层为实心底板，所述保温层的总层数N＝10-30，所述保温层中除所述实心底板以外的N-1层保温材料为中央空心的圆环状结构；每层的厚度为5-10cm，外径50cm-100cm，内径10-30cm；所述保温层套在所述加热炉管的外侧；所述加热炉管的底部与保温层底板接触；所述刚玉空心圆管套在所述加热炉管的内侧，并形成一个腔体结构，在所述腔体结构中填充有保温粉料；所述电阻丝缠绕在加热炉管外侧；所述热电偶位于每层保温材料中心附近，所述控温仪通过接线柱连接于炉体外部；所述炉盖位于所述加热炉管的顶端开口处。