[发明专利]运用选择性移除鳍部的半导体结构的形成有效
| 申请号： | 201710432441.2 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492573B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;卡瑞妮·B·拉贝尔;成敏圭 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及运用选择性移除鳍部的半导体结构的形成，举例而言，包括提供衬底，其具备上有第一硬掩模的第一多个鳍部、上有第二硬掩模的第二多个鳍部，该第一硬掩模有别于该第二硬掩模，在该第一与第二鳍部的诸下部分之间沉积第一填充材料，在介于该第一与第二鳍部之间的该第一填充材料上沉积第三硬掩模层，在延展于该第一与第二鳍部的诸上部分之间的该第三硬掩模上沉积第二填充材料，选择性地移除该第二硬掩模及该第二鳍部以在该第一与第二填充材料中形成开穴，在该开穴中沉积第三填充材料，以及移除该第三硬掩模上面的该第二填充材料与该第三填充材料以形成鳍部切口区。 | ||
| 搜索关键词： | 运用 选择性 半导体 结构 形成 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：提供衬底，其具备上有第一硬掩模的第一多个鳍部、上有第二硬掩模的第二多个鳍部，该第一硬掩模有别于该第二硬掩模；在该第一与第二多个鳍部的下部分之间沉积第一填充材料；在介于该第一与该第二多个鳍部之间的该第一填充材料上沉积第三硬掩模层；在延展于该第一与第二多个鳍部的诸上部分之间的该第三硬掩模上沉积第二填充材料；选择性地移除该第二硬掩模及该第二多个鳍部以在该第一与第二填充材料中形成开穴；在该开穴中沉积第三填充材料；以及移除该第三硬掩模上面的该第二填充材料及该第三填充材料以形成鳍部切口区。
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