[发明专利]运用选择性移除鳍部的半导体结构的形成有效
| 申请号： | 201710432441.2 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107492573B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;卡瑞妮·B·拉贝尔;成敏圭 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 运用 选择性 半导体 结构 形成 | ||
1.一种制作半导体装置的方法，该方法包含：
提供衬底，其具备上有第一硬掩模的第一多个鳍部、上有第二硬掩模的第二多个鳍部，该第一硬掩模有别于该第二硬掩模；
在该第一多个鳍部与该第二多个鳍部的下部分之间沉积第一填充材料；
在介于该第一多个鳍部与该第二多个鳍部之间的该第一填充材料上沉积第三硬掩模层；
在延展于该第一多个鳍部与该第二多个鳍部的诸上部分之间的该第三硬掩模上沉积第二填充材料；
选择性地移除该第二硬掩模及该第二多个鳍部以在该第一填充材料与该第二填充材料中形成开穴；
在该开穴中沉积第三填充材料；以及
移除该第三硬掩模上面的该第二填充材料及该第三填充材料以形成鳍部切口区。
2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个鳍部与该第二多个鳍部具有对应的相同关键尺寸。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个鳍部与该第二多个鳍部之间具有相同间距。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性地移除该第二多个鳍部包含蚀刻。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性地移除该第二多个鳍部包含第一蚀刻及第二蚀刻，以及其中，该第一蚀刻有别于该第二蚀刻。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性地移除该第二多个鳍部包含各向异性蚀刻。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性地移除该第二多个鳍部包含进行各向同性蚀刻。
8.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性地移除该第二多个鳍部包含在各向异性蚀刻之后接着各向同性蚀刻。
9.如权利要求1所述的方法，其中，该沉积该第三硬掩模层包含定向沉积。
10.如权利要求1所述的方法，其中，该沉积该第三硬掩模层包含在该第一多个鳍部与该第二多个鳍部之间的该第一填充材料上、及该第一多个鳍部与该第二多个鳍部上沉积衬垫。
11.如权利要求1所述的方法，其中，该第一填充材料、该第二填充材料、及该第三填充材料包含相同材料。
12.如权利要求1所述的方法，其中，该第一填充材料、该第二填充材料、及该第三填充材料包含氧化物。
13.如权利要求1所述的方法，其中，该第一硬掩模包含SiBCN且该第二硬掩模包含SiN。
14.如权利要求1所述的方法，其中，该第一硬掩模包含SiN且该第二硬掩模包含SiCO，或该第一硬掩模包含SiCO且该第二硬掩模包含SiN。
15.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个鳍部与该第二多个鳍部具有对应的相同关键尺寸，并且该第一多个鳍部与该第二多个鳍部之间具有相同间距。
16.如权利要求1所述的方法，其中，该提供包含在该衬底上形成包含第一材料的该第一硬掩模，以包含第二材料的该第二硬掩模选择性地取代部分该第一硬掩模。
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