[发明专利]一种锡酸镉透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池

摘要

本申请提供了一种锡酸镉透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池。本申请的生产工艺中先将靶材在混合气体环境中进行磁控溅射，再在保护性气氛下进行退火。按照本发明的生产工艺，能够明显提升CTO膜的制备速度，有利于进行规模化生产，更为重要的是，按照本发明的制备方法无需进行紧贴退火方式，直接在保护气氛下退火即可，大大简化了退火工艺，能够实现工业化大规模生产。本发明还提供了一种锡酸镉透明导电膜及包含该锡酸镉透明导电膜的太阳能电池，相比于现有商业化的SnO₂膜和ITO膜，本发明提供的锡酸镉透明导电膜的电学和光学性能明显提高。

主权项

1.一种锡酸镉透明导电膜的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：a)将靶材在混合气体环境中进行磁控溅射，得到前体CTO基膜；所述靶材为由SnO2与CdO组成的靶材，或为Sn‑Cd合金靶材；所述混合气体为氩气和氧气，其中，氧气占所述混合气体的体积分数为5％～15％；b)将所述前体CTO基膜在保护性气氛下进行退火，得到锡酸镉透明导电膜。