[发明专利]半导体存储器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件的制作方法，通过在介电层上形成第一图案，所述第一图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合；在第二介质层上形成第二图案，第二图案暴露出外围电路区上的部分第二介质层，所述第二图案与第二通孔在所述基底厚度方向上的投影错开；然后，刻蚀第二介质层，保留第一图案侧壁和第二图案下方的第二介质层；接着，去除所述第一图案；最后，刻蚀介电层，直至暴露第一介质层，在介电层中形成用于定义位线位置的第一开口和第二开口，第一开口露出第一通孔，第二开口露出第二通孔。本发明通过调整刻蚀工艺的顺序，优化整个半导体存储器件的制作方法的流程，使得半导体存储器件的制作方法更加简化，降低生产成本。

主权项

1.一种半导体存储器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底中设置有存储区和外围电路区；形成一第一介质层，所述第一介质层位于所述基底之上，在所述存储区之上的第一介质层中设置有第一通孔，在所述外围电路区之上的第一介质层中设置有第二通孔；形成一介电层和一位于所述介电层上的第一图案，所述介电层位于所述第一介质层上，所述第一图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合；形成一第二介质层和一位于所述第二介质层上的第二图案，所述第二介质层覆盖所述第一图案和暴露出的所述介电层，所述第二图案暴露出所述外围电路区上的部分所述第二介质层，所述第二图案与第二通孔在所述基底厚度方向上的投影错开；刻蚀所述第二介质层，保留所述第一图案侧壁的第二介质层和所述第二图案下方的第二介质层；去除所述第一图案；刻蚀所述介电层，直至暴露所述第一介质层，在所述介电层中形成用于定义位线位置的第一开口和第二开口，所述第一开口露出所述第一通孔，所述第二开口露出所述第二通孔。