[发明专利]半导体存储器件的制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体存储器件的制作方法，通过在介电层上形成第一图案，所述第一图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合；在第二介质层上形成第二图案，第二图案暴露出外围电路区上的部分第二介质层，所述第二图案与第二通孔在所述基底厚度方向上的投影错开；然后，刻蚀第二介质层，保留第一图案侧壁和第二图案下方的第二介质层；接着，去除所述第一图案；最后，刻蚀介电层，直至暴露第一介质层，在介电层中形成用于定义位线位置的第一开口和第二开口，第一开口露出第一通孔，第二开口露出第二通孔。本发明通过调整刻蚀工艺的顺序，优化整个半导体存储器件的制作方法的流程，使得半导体存储器件的制作方法更加简化，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体存储器件的制作方法。

背景技术

随着半导体集成电路的特征尺寸的不断缩小，光刻技术所要求的线宽也越来越小，各半导体元件间的距离也日益缩短。目前，采用一种双图案化技术(Double PatterningTechnology，DPT)来制作半导体存储器件的有源区或位线等结构。但是在形成半导体存储器件的位线过程中，需要重复多次的光刻和刻蚀工艺，导致整个步骤繁琐、工艺流程复杂，使得半导体存储器件的生产成本高。

因此，有必要提供一种更简单的半导体存储器件的制作方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺流程更加简单、简化的半导体存储器件的制作方法，能够降低其生产成本。

为解决上述技术问题及相关问题，本发明提供的半导体存储器件的制作方法包括：

提供一基底，在所述基底中设置有存储区和外围电路区；

形成一第一介质层，所述第一介质层位于所述基底之上，在所述存储区之上的第一介质层中设置有第一通孔，在所述外围电路区之上的第一介质层中设置有第二通孔；

形成一介电层和一位于所述介电层上的第一图案，所述介电层位于所述第一介质层上，所述第一图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合；

形成一第二介质层和一位于所述第二介质层上的第二图案，所述第二介质层覆盖所述第一图案和暴露出的所述介电层，所述第二图案暴露出所述外围电路区上的部分所述第二介质层，所述第二图案与第二通孔在所述基底厚度方向上的投影错开；

刻蚀所述第二介质层，保留所述第一图案侧壁的第二介质层和所述第二图案下方的第二介质层；

去除所述第一图案；

刻蚀所述介电层，直至暴露所述第一介质层，在所述介电层中形成用于定义位线位置的第一开口和第二开口，所述第一开口露出所述第一通孔，所述第二开口露出所述第二通孔。

可选的，在形成一介电层和一位于所述介电层上的第一图案，所述介电层位于所述第一介质层上，所述第一图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合的步骤中包括：在所述第一介质层上依次形成所述介电层和第一掩模层；刻蚀所述第一掩模层，直至暴露所述介电层，形成所述第一图案。

可选的，在刻蚀所述第一掩模层，直至暴露所述介电层，形成所述第一图案的步骤中包括：在所述第一掩模层上涂覆第一光阻层，在所述第一光阻层中形成第一光阻图案，所述第一光阻图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合；以所述第一光阻图案为掩模，刻蚀所述第一掩模层，直至暴露所述介电层，形成所述第一图案。

可选的，在所述的半导体存储器件的制作方法中，所述介电层包括自下至上依次形成在所述第一介质层上的氮化物层、低K介质层、第一氧化物层、氮化钛层和顶层氧化物层。

进一步的，在刻蚀所述第一掩模层，直至暴露所述介电层，形成所述第一图案的步骤中还包括去除部分所述顶层氧化物层，直至露出所述氮化钛层。