[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201710421651.1 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107492520A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 山下阳平 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，通过探测而可靠地判别器件芯片的良好与不良，并且高效地生产器件芯片。晶片的加工方法将在由分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片加工成通过基板来支承器件的器件芯片，该器件在基板的正面上层叠有功能层并且具有多个电极，该方法至少包含如下的工序分离槽形成工序，沿着分割预定线形成深度至少相当于该器件芯片的厚度并且不到达晶片的背面的分离槽，维持该晶片的形态；品质检查工序，通过对形成有该分离槽的该晶片的各器件的电极通电的探测来对器件的良好与不良的品质进行检查；以及背面磨削工序，在该晶片的正面上配设保护部件，对该晶片的背面进行磨削而使分离槽在背面露出从而将晶片分割成各个器件芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片加工成通过基板来支承器件的器件芯片，该器件在基板的正面上层叠有功能层并具有多个电极，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：分离槽形成工序，沿着分割预定线形成深度至少相当于该器件芯片的厚度并且不到达晶片的背面的分离槽，维持该晶片的形态；品质检查工序，通过对形成有该分离槽的该晶片的各器件的电极通电的探测来对器件的良好与不良的品质进行检查；以及背面磨削工序，在该晶片的正面上配设保护部件，对该晶片的背面进行磨削而使分离槽在背面露出从而将晶片分割成各个器件芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
