[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片加工成通过基板来支承器件的器件芯片，其中，该晶片在由分割预定线划分的多个区域中形成有器件，该器件在基板的正面层叠功能层且具有多个电极。

背景技术

晶片在由分割预定线划分的多个区域中形成有器件，该器件在基板的正面上层叠有功能层且具有多个电极，通过以能够旋转的方式具有切削刀具的切割装置或照射激光光线的激光加工装置将该晶片分割成通过基板来支承器件的器件芯片，该晶片被用于移动电话、个人计算机等电气设备。

在晶片的基板正面上形成有层间绝缘膜(IDL)，该层间绝缘膜(IDL)是填充于构成器件的功能层的布线间的绝缘物，通过切削刀具来切削晶片时的冲击带来损害，有时使该层间绝缘膜会剥离，或者产生损伤，导致与分割预定线相邻地配设的器件变得不良。

并且，在上述的功能层由低介电常数绝缘体(Low-k膜)构成的情况下，上述现象变得更显著，因此还提出了如下的技术(例如，参照专利文献1。)：在将激光光线的聚光点定位在分割预定线的两侧进行照射而使功能层熔断并沿着分割预定线形成了2条浅槽之后，将切削刀具定位在该2条浅槽的中央而将晶片分割成一个个的器件芯片，但无法完全地排除器件芯片的不良。

作为对形成在晶片上的器件的不良进行检测的单元，公知有探测器。该探测器由与形成在晶片上的器件的电极接触的多个探针以及与该探针电连接的测试仪构成，经由探针将从测试仪发送的电信号输入给器件，能够根据从该器件回信的电信号而进行检测器件的良好与不良状态的探测(例如，参照专利文献2。)。

专利文献1：日本特开2005-064230号公报

专利文献2：日本特开2003-059987号公报

以往，当在晶片上形成了器件之后，为了在实施用于分割成一个个的器件芯片的工序之前检测器件的不良，而实施探测。但是，如上所述，由于有时在将晶片分离成器件芯片的过程中产生不良，因此为了更可靠地判别器件芯片的不良，需要在将晶片分割成一个个的器件芯片之后，通过探测器来实施对各个器件芯片的电极通电的探测，但是与按照晶片单位来实施探测的情况相比，存在花费时间且生产性非常差这样的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供如下的晶片的加工方法：通过探测而可靠地判别器件芯片的良好与不良，并且高效地生产器件芯片。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片加工成通过基板来支承器件的器件芯片，该器件在基板的正面上层叠有功能层并具有多个电极，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：分离槽形成工序，沿着分割预定线形成深度至少相当于该器件芯片的厚度并且不到达晶片的背面的分离槽，维持该晶片的形态；品质检查工序，通过对形成有该分离槽的该晶片的各器件的电极通电的探测来对器件的良好与不良的品质进行检查；以及背面磨削工序，在该晶片的正面上配设保护部件，对该晶片的背面进行磨削而使分离槽在背面露出从而将晶片分割成各个器件芯片。

根据该分离槽形成工序，可以将切削刀具定位于分割预定线而沿着分割预定线形成深度至少相当于器件芯片的厚度并且不到达晶片的背面的分离槽。或者，可以将激光光线的聚光点定位于分割预定线而进行照射，沿着分割预定线形成深度至少相当于器件芯片的厚度的分离槽。此外，该分离槽形成工序也可以由浅槽形成步骤和分离槽形成步骤构成，其中，在该浅槽形成步骤中，将激光光线的聚光点定位于分割预定线的两侧而将功能层切断，沿着分割预定线形成比相当于器件芯片的厚度的深度浅的2条浅槽，在该分离槽形成步骤中，将切削刀具定位于2条浅槽的中央而沿着分割预定线形成深度至少相当于器件芯片的厚度的分离槽。

在本发明的晶片的加工方法中，至少包含如下的工序：分离槽形成工序，沿着分割预定线形成深度至少相当于该器件芯片的厚度并且不到达晶片的背面的分离槽，维持该晶片的形态；品质检查工序，通过对形成有该分离槽的该晶片的各器件的电极通电的探测来对器件的良好与不良的品质进行检查；以及背面磨削工序，在该晶片的正面上配设保护部件，对该晶片的背面进行磨削而使分离槽在背面露出从而将晶片分割成各个器件芯片，由此，使得在实施了有可能使器件芯片的功能层产生剥离或损伤的分离槽形成工序之后，以维持着该晶片的形态的状态来实施探测，然后实施背面磨削工序而得到各个器件芯片。由此，能够在实施了有可能给器件芯片的功能层带来损害的分离槽形成工序之后，以维持晶片的形态的状态高效地实施探测，能够一边可靠地判别品质不良的器件芯片，一边高效地生产。