[发明专利]垂直型光电子器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710421177.2 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109004042A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 赵斌;贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;张磊 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直型光电子器件，所述垂直型光电子器件从下至上依次包括：基板；背电极层；第一欧姆接触层；有源层，其用于实现光电或电光转换；第二欧姆接触层；以及位于所述第二欧姆接触层上的顶电极。本发明的垂直型光电子器件的背电极层还用作背反射镜，能够使得光线在第一欧姆接触层和背电极层的界面处发生反射，增加了入射光线的透射率或者发射光线的出光效率，从而提高了垂直型光电子器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子器件 垂直型 欧姆接触层 背电极层 出光效率 电光转换 发射光线 入射光线 顶电极 反射镜 界面处 透射率 基板 源层 反射 制造 | ||
【主权项】：
1.一种垂直型光电子器件，其特征在于，所述垂直型光电子器件从下至上依次包括：基板；背电极层；第一欧姆接触层；有源层，其用于实现光电或电光转换；第二欧姆接触层；以及位于所述第二欧姆接触层上的顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
