[发明专利]垂直型光电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直型光电子器件，其特征在于，所述垂直型光电子器件从下至上依次包括：

基板；

背电极层；

第一欧姆接触层；

有源层，其用于实现光电或电光转换；

第二欧姆接触层；以及

位于所述第二欧姆接触层上的顶电极。

2.根据权利要求1所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述背电极层与所述第一欧姆接触层相接触的界面具有第一图形结构。

3.根据权利要求2所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第二欧姆接触层的上表面具有第二图形结构。

4.根据权利要求3所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述垂直型光电子器件还包括位于所述第二欧姆接触层的上表面的第一介质层，所述第一介质层的上表面是平面。

5.根据权利要求1所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第二欧姆接触层具有供光线穿过的窗口。

6.根据权利要求1所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第二欧姆接触层的上表面为平面，所述垂直型光电子器件还包括位于所述第二欧姆接触层上的第二介质层，所述第二介质层的上表面具有第三图形结构。

7.根据权利要求2所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第一图形结构为所述背电极层上的多个凸起，所述光电子器件还包括位于所述背电极层和第一欧姆接触层之间的第三介质层，所述第三介质层具有与所述背电极层上的多个凸起相适配的多个介质通孔，所述背电极层的所述多个凸起位于所述多个介质通孔中，且所述多个凸起与所述第一欧姆接触层欧姆接触。

8.根据权利要求2所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第一图形结构为所述背电极层上的多个凹槽，所述光电子器件还包括位于所述背电极层和第一欧姆接触层之间的第四介质层，所述第四介质层具有与所述背电极层上的多个凹槽相适配的多个介质凸起，所述第四介质层上的多个介质凸起位于所述背电极层上的多个凹槽中，且所述背电极层与所述第一欧姆接触层欧姆接触。

9.根据权利要求3所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第一图形结构或第二图形结构为球缺状、半椭球状、圆台状、圆锥状、柱状凸起或与所述球缺状、半椭球状、圆台状、圆锥状、柱状凸起相适配的凹槽或凹坑。

10.根据权利要求6所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第三图形结构为球缺状、半椭球状、圆台状、圆锥状、柱状凸起或与所述球缺状、半椭球状、圆台状、圆锥状、柱状凸起相适配的凹槽或凹坑。

11.根据权利要求1所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层或第二欧姆接触层是P型半导体或N型半导体。

12.根据权利要求4所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第一介质层的折射率在空气的折射率和所述第二欧姆接触层的折射率之间。

13.根据权利要求6所述的垂直型光电子器件，其特征在于，所述第二介质层的折射率在空气的折射率和所述第二欧姆接触层的折射率之间。

14.一种用于如权利要求1所述的垂直型光电子器件的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

S11)：提供外延片，所述外延片从下至上依次包括原衬底、第一欧姆接触层、有源层和第二欧姆接触层；

S12)：在所述第二欧姆接触层上制备顶电极；

S13)：将过渡基板粘结或键合在所述顶电极的表面上；

S14)：移除所述原衬底；

S15)：在所述第一欧姆接触层的表面沉积背电极层；

S16)：在所述背电极层的表面制备基板；

S17)：移除所述过渡基板。