[发明专利]一种基于感光干膜工艺的碳纳米管薄膜晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201710411464.5 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108987481A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 孙东明;陈永洋;闫欣;孙陨;刘畅;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所;东北大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/43;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及新型碳纳米管薄膜晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于感光干膜工艺的碳纳米管薄膜晶体管及制作方法。碳纳米管薄膜晶体管包括衬底以及衬底之上的源极、漏极、半导体沟道、栅绝缘层和栅极，源极、漏极、栅极和半导体沟道由碳纳米管薄膜材料构成。利用干膜工艺和光刻工艺实现碳纳米管薄膜晶体管的制备，制作工艺过程简单，可实现大面积器件制备，并节约工艺成本，所得的碳纳米管薄膜晶体管具有良好的电学性能和力学性能。本发明提出干膜工艺方法，在常压下实现了大面积的碳纳米管电极和碳纳米管沟道的图形化工艺，实现全碳纳米管薄膜晶体管器件的规模化制备，比传统光刻胶制备全碳纳米管薄膜晶体管器件更有优势。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管薄膜 晶体管 制备 半导体沟道 晶体管器件 纳米管薄膜 干膜工艺 感光干膜 衬底 漏极 全碳 源极 碳纳米管电极 碳纳米管沟道 薄膜晶体管 图形化工艺 新型碳纳米 电学性能 工艺成本 光刻工艺 力学性能 器件制备 栅绝缘层 制作工艺 光刻胶 规模化 常压 研发 制作 节约 | ||
【主权项】：
1.一种基于感光干膜工艺的碳纳米管薄膜晶体管，其特征在于，碳纳米管薄膜晶体管的器件构成包括衬底以及衬底之上的源极、漏极、半导体沟道、栅绝缘层和栅极，所述的源极、漏极、栅极和半导体沟道由碳纳米管薄膜材料构成。
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