[发明专利]一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201710404219.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107338478B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄一枝;张浩;程文旦;柴国良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B9/06;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为： |
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| 搜索关键词： | 一种 铅镓锗硫 晶体 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铅镓锗硫晶体的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：(1)将铅源、三硫化二镓和二硫化锗按摩尔比为0.5～4：0.8～1.2：0.8～1.2的比例混合；(2)将混合后的混合物在真空密封条件下，加热至500～650℃保温24～100小时；(3)降至室温，即得所述铅镓锗硫晶体；所述铅源为氯化铅。
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