[发明专利]一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201710404219.1 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107338478B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄一枝;张浩;程文旦;柴国良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B9/06;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铅镓锗硫 晶体 制备 方法 应用 | ||
1.一种铅镓锗硫晶体的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
(1)将铅源、三硫化二镓和二硫化锗按摩尔比为0.5～4：0.8～1.2：0.8～1.2的比例混合；
(2)将混合后的混合物在真空密封条件下，加热至500～650℃保温24～100小时；
(3)降至室温，即得所述铅镓锗硫晶体；
所述铅源为氯化铅。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，氯化铅、三硫化二镓和二硫化锗的摩尔比为0.5～4：1：1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铅源为氯化铅与硫化铅的混合物，氯化铅和硫化铅的摩尔比为0.4～3：0.1～1。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，氯化铅、硫化铅、三硫化二镓和二硫化锗的摩尔比为0.4～3：0.1～1：1：1。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，真空度为0.01～10Pa。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述降至室温的降温速度为0.1～10℃/h。
7.一种铅镓锗硫晶体，其特征在于，通过权利要求1-6任一所述方法制备，所述铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6；所述铅镓锗硫晶体属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝16。
8.如权利要求7所述的铅镓锗硫晶体在用于制备非线性光学器件中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述非线性光学器件为激光倍频器件、激光影视器件、激光印刷器件、光通讯器件、光信号处理器件、信息储存器件或激光致盲武器。
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