[发明专利]一种“I”型结构PDMS基体的制造方法有效
申请号: | 201710403949.X | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN107221578B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 赵晋生;师明星 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都盈信专利代理事务所(普通合伙) 51245 | 代理人: | 张澎 |
地址: | 610065 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公布一种“I”型结构PDMS基体的制造方法。其步骤有:1.硅模具的制备:制备硅模具A和硅模具B。2.第一次倒模。3.贴附1号PDMS基体。4.第二次倒模。最后热烘至固态,拔模,得到“I”型结构PDMS基体。该方法应用同主族超弹性聚合物可以粘接在一起的原理,采用分步倒模方法,从而制备得到具有特殊结构的“I”型结构PDMS基体。该特殊结构的PDMS基体具有“I”型结构图案化阵列,其在力学性能上具有明显的应变隔离效应,在物理性能上具有较强的表面疏水性,使得其在微机电系统、医疗诊断、生物材料等柔性可延展电子领域具有特殊的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 pdms 基体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种“I”型结构PDMS基体的制造方法,用于制造“I”型结构的由岛体(1)、连接柱体(2)和基底(3)构成的聚二甲基硅氧烷PDMS基体;所述的“I”型结构是连接柱体(2)以等间距列阵式分布于连续的基底(3)之上,岛体(1)位于连接柱体(2)之上,其中岛体(1)的横向尺寸大于连接柱体(2)的横向尺寸;包括如下处理步骤:其特征在于:它包括有下列步骤:步骤一:硅模具的制备制备硅模具A和硅模具B,其中硅模具A需要进行两次刻蚀,硅模具B进行一次刻蚀;步骤二:第一次倒模(A)用主剂和硬化剂以质量比为10:1比例混合均匀,并且抽真空30分钟~40分钟,配制得到液态PDMS,将液态PDMS滴入步骤一中制备的硅模具A内;(B)放入真空箱,再次抽真空20分钟~30分钟,使得液态PDMS浸润到硅模具A的坑槽中;(C)将硅模具A安装在匀胶机上,在转速为300转/分的条件上,再滴加少量液态PDMS,匀胶20秒~30秒;(D)放入120℃的烘箱中热烘一个小时,使其固化;(E)脱模,制得1号PDMS基体;步骤三:清洗及贴附1号PDMS基体(A)修剪,裁去边缘不规整残渣,并用去离子水冲洗后放入玻璃容器中;(B)清洗1号PDMS基体;(C)将第三次处理后的1号PDMS基体的上表面贴附于硅片上;步骤四:第二次倒模(A)将步骤二配制好的液态PDMS滴入到硅模具B内;(B)放入真空箱,抽真空20分钟~30分钟,使得液态PDMS浸润到硅模具B的坑槽中;(C)去除硅模具B边缘和凸起顶部由于过剩流出的液态PDMS;(D)使用工业显微镜,将预留在硅模具B上的对焦圆柱体凸点和1号PDMS基体上的定位凹槽对焦,使1号PDMS基体下表面自然贴附于硅模具B上;(E)放入65℃的烘箱中热烘两个小时,使其固化;(F)拔模,得到“I”型结构PDMS基体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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