[发明专利]一种“I”型结构PDMS基体的制造方法

权利要求书

1.一种“I”型结构PDMS基体的制造方法，用于制造“I”型结构的由岛体(1)、连接柱体(2)和基底(3)构成的聚二甲基硅氧烷PDMS基体；所述的“I”型结构是连接柱体(2)以等间距列阵式分布于连续的基底(3)之上，岛体(1)位于连接柱体(2)之上，其中岛体(1)的横向尺寸大于连接柱体(2)的横向尺寸；包括如下处理步骤：

其特征在于：它包括有下列步骤：

步骤一：硅模具的制备

制备硅模具A和硅模具B，其中硅模具A需要进行两次刻蚀，硅模具B进行一次刻蚀；

步骤二：第一次倒模

(A)用主剂和硬化剂以质量比为10:1比例混合均匀，并且抽真空30分钟～40分钟，配制得到液态PDMS，将液态PDMS滴入步骤一中制备的硅模具A内；

(B)放入真空箱，再次抽真空20分钟～30分钟，使得液态PDMS浸润到硅模具A的坑槽中；

(C)将硅模具A安装在匀胶机上，在转速为300转/分的条件上，再滴加少量液态PDMS，匀胶20秒～30秒；

(D)放入120℃的烘箱中热烘一个小时，使其固化；

(E)脱模，制得1号PDMS基体；

步骤三：清洗及贴附1号PDMS基体

(A)修剪，裁去边缘不规整残渣，并用去离子水冲洗后放入玻璃容器中；

(B)清洗1号PDMS基体；

(C)将第三次处理后的1号PDMS基体的上表面贴附于硅片上；

步骤四：第二次倒模

(A)将步骤二配制好的液态PDMS滴入到硅模具B内；

(B)放入真空箱，抽真空20分钟～30分钟，使得液态PDMS浸润到硅模具B的坑槽中；

(C)去除硅模具B边缘和凸起顶部由于过剩流出的液态PDMS；

(D)使用工业显微镜，将预留在硅模具B上的对焦圆柱体凸点和1号PDMS基体上的定位凹槽对焦，使1号PDMS基体下表面自然贴附于硅模具B上；

(E)放入65℃的烘箱中热烘两个小时，使其固化；

(F)拔模，得到“I”型结构PDMS基体。

2.根据权利1所述的“I”型结构PDMS基体的制造方法，其特征在于,所述步骤三清洗1号PDMS基体,包括如下步骤：

(A)向玻璃容器中加入10毫升～20毫升的正己烷，然后放置于超声清洗机中，在功率700瓦～1000瓦、工作频率28KHz～40KHz的条件下超声清洗10分钟～20分钟得到第一次处理后的1号PDMS基体；

(B)将第一次处理后的1号PDMS基体取出，用去离子水冲洗10秒，放入另一玻璃容器中，向玻璃容器中加入10毫升～20毫升的丙酮，然后将玻璃容器放置于超声清洗机中，在功率700瓦～1000瓦、工作频率28KHz～40KHz的条件下超声清洗10分钟～20分钟得到第二次处理后的1号PDMS基体；

(C)将第二次处理后的1号PDMS基体取出，用去离子水冲洗10秒，放入另一玻璃容器中，加入质量浓度为95％的无水乙醇，然后放置于超声清洗机中，在功率700瓦～1000瓦、工作频率28KHz～40KHz的条件下超声清洗10分钟～20分钟得到第三次处理后的1号PDMS基体。

3.根据权利1所述的“I”型结构PDMS基体的制造方法，其特征在于，所述连接柱体(2)是正方立柱体、圆柱体或菱形柱体。

4.根据权利1所述的“I”型结构PDMS基体的制造方法，其特征在于，硅模具A进行两次刻蚀，中间凹槽深度小于边缘深度，形成高度差。

5.根据权利1和权利4所述的一种“I”型结构PDMS基体的制造方法，其特征在于，硅模具B进行一次刻蚀，刻蚀深度大于硅模具A中的高度差。

6.根据权利1所述的“I”型结构PDMS基体的制造方法，其特征在于，硅模具A和硅模具B都留有对焦的圆柱体凸点，并且硅模具A上的圆柱体凸点略大于硅模具B上的圆柱体凸点。