[发明专利]形成具有改进黏附性的低电阻率贵金属互连的装置及方法在审
| 申请号： | 201710398579.5 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107452713A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张洵渊;法兰克·W·蒙特;埃罗尔·特德·莱恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成具有改进黏附性的低电阻率贵金属互连的装置及方法，其提供制造集成电路装置以形成具有改进黏附性的低电阻率互连的装置及方法。一种方法包括例如获得中间半导体互连装置，该中间半导体互连装置具有衬底、覆盖层，以及包括一组沟槽及一组过孔的介电矩阵；将金属互连材料直接沉积在该介电矩阵的顶部表面上方并与其接触，其中，该金属互连材料填充该组沟槽及该组过孔；在该装置的顶部表面上方沉积阻挡层；退火该阻挡层，以使该阻挡层扩散至该金属互连材料的底部表面；平坦化该中间半导体互连装置的顶部表面；以及在该中间半导体互连装置上方沉积介电覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 改进 黏附 电阻率 贵金属 互连 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：获得中间半导体互连装置，该中间半导体互连装置具有衬底、覆盖层，以及包括一组沟槽及一组过孔的介电矩阵；将金属互连材料直接沉积在该介电矩阵的顶部表面上方并与其接触，其中，该金属互连材料填充该组沟槽及该组过孔；在该半导体互连装置的顶部表面上方沉积阻挡层；退火该阻挡层，以使该阻挡层扩散至该金属互连材料的底部表面；平坦化该中间半导体互连装置的顶部表面，移除该组沟槽及该组过孔上方的该金属互连材料；以及在该中间半导体互连装置上方沉积介电覆盖层。
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