[发明专利]自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置有效

专利信息
申请号: 201710398054.1 申请日: 2017-05-31
公开(公告)号: CN107217898B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 江肖禹;高增梁;丁振宇;徐英杰;夏雨荟;潘凡 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: E04H9/02 分类号: E04H9/02;E04B1/98
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 杜立
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,包括质量块,磁流变液阻尼单元,2个发电单元,滑动导轨;所述质量块的凹槽嵌于滑动导轨的中心凸台;所述质量块的滚轮轮缘中凹外凸,与滑动导轨的凸缘相配合,在辅助限位的同时使质量块沿导轨作往复运动;所述滑动导轨的一端设有第一挡板,另一端设有第二挡板;所述的2个发电单元的两端水平固定在第二挡板和质量块之上。本发明根据高塔设备振动频率的不同,压电晶片产生的电量也不一样,从而影响线圈产生的磁场强弱,最终直接导致磁流变液的阻尼大小,达到主动调节TMD振动频率至被控结构的自振频率区域内,达到有效的减振效果。
搜索关键词: 供电 质量 阻尼 复合 结构 atmd 装置
【主权项】:
一种自供电质量阻尼复合结构的ATMD减振装置,包括质量块(1),磁流变液阻尼单元(2),2个发电单元(3),滑动导轨(4);其特征在于:所述质量块(1)的凹槽(11)嵌于滑动导轨的中心凸台(41);所述质量块(1)的滚轮(12)轮缘中凹外凸,与滑动导轨的凸缘(42)相配合,在辅助限位的同时使质量块(1)沿导轨作往复运动;所述滑动导轨(4)的一端设有第一挡板(43),另一端设有第二挡板(44);所述的2个发电单元(3)的两端水平固定在第二挡板(44)和质量块(1)之上。
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