[发明专利]一种比较器电路在审
| 申请号： | 201710394965.7 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107134989A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/22 | 分类号： | H03K5/22;H03M1/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种比较器电路，属于半导体集成电路技术领域。包括第一NMOS管的栅极接负输入端，源极接第二NMOS管的源极和第五NMOS管的漏极，漏极接第一PMOS管的栅极和漏极以及第三NMOS管的漏极；第一PMOS管的源极接电源；第五NMOS管的栅极接偏置电流输入端，源极接地；第二NMOS管的栅极接正输入端，漏极接输出端；第三NMOS管的栅极接正输入端，源极接第四NMOS管的源极和第六NMOS管的漏极；第四NMOS管的栅极接负输入端，漏极接输出；第六NMOS管的栅极接输入，源极接地；第二PMOS管的栅极和漏极都接输出端，源极接电源。该比较器电路引入了电平反馈技术，从而提升了比较器电路的电平转换速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 比较 电路 | ||
【主权项】：
一种比较器电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5和第六NMOS晶体管N6；第一NMOS晶体管N1的栅极接负输入端UIN，源极接第二NMOS晶体管N2的源极和第五NMOS晶体管N5的漏极，漏极接第一PMOS晶体管P1的栅极和漏极以及第三NMOS晶体管N3的漏极；第一PMOS晶体管P1的源极接电源；第五NMOS晶体管N5的栅极接偏置电流输入端BIAS，源极接地；第二NMOS晶体管N2的栅极接正输入端UIP，漏极接输出端UOUT；第三NMOS晶体管N3的栅极接正输入端UIP，源极接第四NMOS晶体管N4的源极和第六NMOS晶体管N6的漏极；第四NMOS晶体管N4的栅极接负输入端UIN，漏极接输出端UOUT；第六NMOS晶体管N6的栅极接偏置电流输入端BIAS，源极接地；第二PMOS晶体管P2的栅极和漏极都接输出端UOUT，源极接电源。
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