[发明专利]一种比较器电路

说明书

技术领域

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种比较器电路。

背景技术

比较器是将两个模拟电压信号相比较的电路。比较器的两路输入为模拟信号，输出则为二进制信号0或1，当输入电压的差值增大或减小且正负符号不变时，其输出保持恒定。

传统的比较器电路如图1所示，包括第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3；第一NMOS晶体管N1的栅极接负输入端U_IN，源极接第二NMOS晶体管N2的源极和第三NMOS晶体管N3的漏极，漏极接第一PMOS晶体管P1的栅极和漏极；第二NMOS晶体管N2的栅极接正输入端U_IP，漏极接第二PMOS晶体管P2的漏极和第三PMOS晶体管P3的栅极；第一PMOS晶体管P1的源极接电源；第二PMOS晶体管P2的源极接电源；第一PMOS晶体管P1的栅极与第二PMOS晶体管P2的栅极相连；第三NMOS晶体管N3的栅极接偏置电流输入端BIAS，源极接地；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，漏极接输出端U_OUT；第四NMOS晶体管N4的栅极接偏置电流输入端BIAS，源极接地，漏极接输出端U_OUT。

传统的比较器电路由于缺乏必要的电平反馈技术，从而在两输入电压变化迅速的情况下，不能得到正确的结果，从而限制了比较器应用的电平转换速率。

发明内容

为解决现有比较器电路应用电平转换速率低的技术问题，本发明对传统的比较器电路进行了改进，提供了一种电平转换速率高的比较器电路。

本发明的比较器电路包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5和第六NMOS晶体管N6；第一NMOS晶体管N1的栅极接负输入端U_IN，源极接第二NMOS晶体管N2的源极和第五NMOS晶体管N5的漏极，漏极接第一PMOS晶体管P1的栅极和漏极以及第三NMOS晶体管N3的漏极；第一PMOS晶体管P1的源极接电源；第五NMOS晶体管N5的栅极接偏置电流输入端BIAS，源极接地；第二NMOS晶体管N2的栅极接正输入端U_IP，漏极接输出端U_OUT；第三NMOS晶体管N3的栅极接正输入端U_IP，源极接第四NMOS晶体管N4的源极和第六NMOS晶体管N6的漏极；第四NMOS晶体管N4的栅极接负输入端U_IN，漏极接输出端U_OUT；第六NMOS晶体管N6的栅极接偏置电流输入端BIAS，源极接地；第二PMOS晶体管P2的栅极和漏极都接输出端U_OUT，源极接电源。

本发明的比较器电路在传统的比较器电路的基础上，引入了电平反馈技术。与现有的比较器电路相比，本发明的比较器电路的电平转换速率得到了巨大的提升。

附图说明

图1是传统的比较器的电路结构示意图；

图2是本发明的比较器的电路结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。