[发明专利]面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法有效
| 申请号： | 201710393271.1 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107221504B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张倩;彭博 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法，涉及陶瓷封装外壳技术领域。本发明包括陶瓷件和针引线，所述陶瓷件正面的芯片安装区、封口面均采用磨抛方式进行加工，磨抛后陶瓷件的封口面、芯片安装区的平面度均≤1μm/mm或50μm。采用该方法制作的陶瓷外壳，平面度高、气密性高，能够解决平面度低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷耦合器件 封装 陶瓷 外壳 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，包括陶瓷件（1）和设于陶瓷件（1）背面的针引线（2），其特征在于，所述陶瓷件的正面（12）的芯片安装区（3）和封口面（4）均采用磨抛方式进行加工，磨抛后陶瓷件（1）的封口面（4）和芯片安装区（3）的平面度均≤1μm/mm或50μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
