[发明专利]面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法

说明书

本发明公开了一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法，涉及陶瓷封装外壳技术领域。本发明包括陶瓷件和针引线，所述陶瓷件正面的芯片安装区、封口面均采用磨抛方式进行加工，磨抛后陶瓷件的封口面、芯片安装区的平面度均≤1μm/mm或50μm。采用该方法制作的陶瓷外壳，平面度高、气密性高，能够解决平面度低的问题。

技术领域

本发明涉及陶瓷封装外壳技术领域，尤其涉及一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法。

背景技术

常规的CPGA(Ceramic Pin Grid Array,陶瓷针型栅格阵列，一种芯片封装形式)陶瓷外壳由陶瓷件、针引线以及金属封口环(可选)组成，其中陶瓷件采用多层氧化铝陶瓷钨金属化高温共烧工艺制作，一次成型，不用后期加工，之后陶瓷件与针引线采用银铜焊料进行组装焊接。

面阵电荷耦合器件(Charge Couple Device，简称CCD)封装用陶瓷外壳封装形式为CPGA类结构，由陶瓷件、针引线两部分组成，陶瓷件材料为90％的氧化铝，针引线材料为铁镍合金或铁镍钴合金。由于面阵CCD封装外壳主要用于封装凝视型空间面阵CCD器件，引出方式为CPGA类结构，陶瓷外壳外形尺寸大、平面度要求高、高气密性，陶瓷件通过高温共烧工艺一次成型无法满足要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法，采用该方法制作的陶瓷外壳，平面度高、气密性高，能够解决平面度低的问题。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，包括陶瓷件和针引线，所述陶瓷件正面的芯片安装区、封口面均采用磨抛方式进行加工，磨抛后陶瓷件的封口面、芯片安装区的平面度均≤1μm/mm或50μm。

进一步地，陶瓷件的封口面采用抛光机或磨具进行磨抛；

当芯片安装区与封口面共面时，芯片安装区的磨抛方式同封口面的磨抛方式；

当芯片安装区与封口面不共面时，芯片安装区的磨抛方式为磨具磨抛加工。

进一步地，所述陶瓷件的正面设有键合区内嵌的凹槽，键合区内嵌在凹槽内。

进一步地，所述陶瓷件背面的针引线的引出端设有凹槽，凹槽内嵌有焊盘，焊盘的表面低于陶瓷件的背面，所述陶瓷件背面采用抛光机磨抛或磨具磨抛。

进一步地，所述针引线的引线节距包括1.27mm、2.54mm、2.54mm交错，引线数≤1000；所述陶瓷件的外形尺寸为，长宽≤200.00mm×200.00mm，高度≤20.00mm。

进一步地，所述陶瓷件的芯片安装区设有若干阵列排布的通孔。

进一步地，所述陶瓷件的正面或背面设有定位标记槽。

更进一步地，所述陶瓷件的封口面上设有安装孔。

本发明还提供一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳的制作方法，包括以下工艺：流延、落料、冲孔、填孔、印刷、层压、热切、烧结、磨抛、镀镍、钎焊、镀金。

进一步地，磨抛工艺是采用抛光机或磨具对陶瓷件正面的封口面、芯片安装区和背面进行磨抛。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本发明在现有技术的基础上，增加了对陶瓷件的磨抛工艺，即对陶瓷件的表面进行磨抛机械加工，能够提高陶瓷件表面的平面度，进而提高封装的气密性。

附图说明

图1是本发明实施例1的示意图；

图2是图1的仰视图；

图3是图1的俯视图；

图4是本发明实施例2的示意图；