[发明专利]一种深紫外LED芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种深紫外LED芯片的制造方法，包括步骤：S1、对所述深紫外LED芯片的外延片进行光刻后蚀刻出第一指定图形，形成基片；S2、在所述基片上进行光刻出第二指定图形的AlGaN层，并将所述第二指定图形外的所述AlGaN层全部刻蚀至Al₂O₃层；S3、在所述AlGaN层上蒸镀形状为第三指定图形的P面导电层；S4、在所述P面导电层上蒸镀状为第四指定图形的N面导电层；S5、在所述基片上覆设生长绝缘层，并去除多余的所述绝缘层；S6、在所述基片上光刻出金属电极图形，按照所述金属电极图形蒸镀或溅射PN电极金属，形成所述深紫外LED芯片。采用Ni/Au导电层代替传统芯片中的ITO层，同时保证了P/N型AlGaN与金属之间的欧姆接触，提高了芯片的发光效率。

主权项

1.一种深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：S1、对所述深紫外LED芯片的外延片进行光刻后蚀刻出第一指定图形(a)，形成基片；S2、在所述基片上进行光刻出第二指定图形(b)的AlGaN层(1)，并将所述第二指定图形(b)外的所述AlGaN层(1)全部刻蚀至Al2O3层(2)；S3、在所述AlGaN层(1)上蒸镀形状为第三指定图形(c)的P面导电层；S4、在所述P面导电层上蒸镀状为第四指定图形(d)的N面导电层；S5、在所述基片上覆设生长绝缘层(5)，并去除多余的所述绝缘层(5)；S6、在所述基片上光刻出金属电极图形，按照所述金属电极图形蒸镀或溅射PN电极金属(6)，形成所述深紫外LED芯片。