[发明专利]一种深紫外LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1、对所述深紫外LED芯片的外延片进行光刻后蚀刻出第一指定图形(a)，形成基片；

S2、在所述基片上进行光刻出第二指定图形(b)的AlGaN层(1)，并将所述第二指定图形(b)外的所述AlGaN层(1)全部刻蚀至Al₂O₃层(2)；

S3、在所述AlGaN层(1)上蒸镀形状为第三指定图形(c)的P面导电层；

S4、在所述P面导电层上蒸镀状为第四指定图形(d)的N面导电层；

S5、在所述基片上覆设生长绝缘层(5)，并去除多余的所述绝缘层(5)；

S6、在所述基片上光刻出金属电极图形，按照所述金属电极图形蒸镀或溅射PN电极金属(6)，形成所述深紫外LED芯片。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述AlGaN层(1)包括N-AlGaN层(12)和P-AlGaN层(11)；所述步骤S1包括步骤：

S11、将所述外延片清洗干净并进行MESA光刻；

S12、使用ICP按照所述第一指定图形(a)将所述外延片刻蚀至所述N-AlGaN层(12)；

S13、去除光刻胶，并清洗干净。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述ICP刻蚀的深度为0.5μm-1.5μm。

4.根据权利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括步骤：

S31、在所述AlGaN层(1)上进行P极金属(3)负胶光刻；

S32、蒸镀或溅射Ni/Au金属电极；

S33、剥离多余金属、去除光刻胶，并清洗干净。

5.根据权利要求4所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S32中，蒸镀或溅射所述Ni/Au金属电极的厚度分别为20nm±10nm/300nm±100nm。

6.根据权利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S4包括步骤：

S41、在所述AlGaN层(1)上进行N极金属(4)负胶光刻；

S42、蒸镀或溅射Ti/Au/Ni/Au金属电极；

S43、剥离多余金属、去除光刻胶，并清洗干净。

7.根据权利要求6所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S32中，蒸镀或溅射所述Ti/Au/Ni/Au金属电极的厚度分别为30nm±10nm/100nm±50nm/30nm±10nm/1000nm±400nm。

8.根据权利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S5包括步骤：

S51、在所述基片的表面沉积SiO₂作为所述绝缘层(5)；

S52、对所述绝缘层(5)进行光刻形成形状为第五指定图形(e)的所述绝缘层(5)；

S53、使用湿法腐蚀或干法刻蚀去除所述第五指定图形(e)外的多余SiO₂；

S54、去除光刻胶，并清洗干净。

9.根据权利要求8所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S6包括步骤：

S61、按照第六指定图形(f)在所述基片上光刻出金属电极图形；

S62、按照所述金属电极图形蒸镀或溅射Au金属电极；

S63、剥离多余金属、去除光刻胶，并清洗干净。

10.根据权利要求9所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述Au金属电极的厚度为3000nm±1000nm。