[发明专利]一种原花青素分子印迹传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种原花青素分子印迹传感器的制备方法，特征在于，首先将玻碳电极用氧化石墨烯和氯铂酸修饰。然后，在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水：56~66%，甲基丙烯酸羟乙酯：6~10%，甲叉琥珀酸：6~10%，1‑丙烯基‑3‑丁基咪唑六氟磷酸盐：12~20%，偶氮二异丁酸二甲酯：1.0~4.0%，原花青素：0.5~2.0%，无氧氛围，搅拌反应6~8 h，甲醇和乙酸混合溶液除去模板分子，干燥，即得原花青素分子印迹聚合物；再将原花青素分子印迹聚合物滴涂到氧化石墨烯和氯铂酸修饰电极上，得到原花青素的分子印迹传感器。该传感器具有高的亲和性和选择性。具有灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。

主权项

1.一种原花青素分子印迹传感器的制备方法，特征在于，该方法具有以下工艺步骤：(1)石墨烯纳米铂修饰液制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水：90～94％，氯铂酸：1.0～3.0％，氧化石墨烯：4～8％，室温下超声15min，分散均匀，得到石墨烯纳米铂修饰液；(2)石墨烯纳米铂修饰玻碳电极制备：将玻碳电极依次用0.2μm、0.01μm抛光粉进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，吹干，在玻碳电极表面滴加20～25μL石墨烯纳米铂修饰液，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得石墨烯纳米铂修饰玻碳电极；(3)原花青素分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，去离子水：56～66％，甲基丙烯酸羟乙酯：6～10％，甲叉琥珀酸：6～10％，1‑丙烯基‑3‑丁基咪唑六氟磷酸盐：12～20％，偶氮二异丁酸二甲酯：1.0～4.0％，原花青素：0.5～2.0％，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通氮气体除氧15min，无氧氛围，75±2℃搅拌反应6～8h，将得到的产物用甲醇：乙酸体积比为10:1混合溶液浸泡12～15h，除去模板分子，干燥，即得原花青素分子印迹聚合物；(4)原花青素分子印迹传感器的制备方法：取适量的原花青素分子印迹聚合物分散于1％的动物胶溶液中，制得25g/L的原花青素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液12～15μL滴加到步骤(2)制备的石墨烯纳米铂修饰玻碳电极，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得原花青素分子印迹传感器。