[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710377247.9 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107833919B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 小林研也;松田哲朗;桧森洋辅;西口俊史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种不轻易产生自接通现象的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1电极、第2绝缘部、栅极电极及第2电极。第2绝缘部设置在第1电极之上。栅极电极设置在第2绝缘部之上。在栅极电极的下表面，设置有朝向上方凹陷的第1凹部及第2凹部。第1凹部在第1方向上位于第2凹部与第1侧面之间。第1凹部与第2凹部之间的第1方向上的距离比第1侧面与第1凹部之间的第1方向上的距离长。第2电极设置在第2半导体区域之上及第3半导体区域之上，与第2半导体区域、第3半导体区域及第1电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域之上；第1导电型的第3半导体区域，设置在所述第2半导体区域之上；第1电极，隔着第1绝缘部设置在所述第1半导体区域中；第2绝缘部，设置在所述第1电极之上；栅极电极，设置在所述第2绝缘部之上，具有下表面及第1侧面，所述下表面设置有朝向上方凹陷的第1凹部及第2凹部，所述第1侧面在第1方向上隔着栅极绝缘部与所述第2半导体区域对向，所述第1凹部在所述第1方向上位于所述第2凹部与所述第1侧面之间，所述第1凹部与所述第2凹部之间的所述第1方向上的距离，比所述第1侧面与所述第1凹部之间的所述第1方向上的距离长；以及第2电极，设置在所述第2半导体区域之上及所述第3半导体区域之上，与所述第2半导体区域、所述第3半导体区域及所述第1电极电连接。
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