[发明专利]半导体结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201710375318.1 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933171B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，其包括一半导体层，该半导体层的厚度为1～100纳米，所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体层的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面，使半导体层设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体层与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。本发明进一步提供一种采用所述半导体结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括:一半导体层，该半导体层的厚度为1～100纳米，所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体层的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面，使半导体层设置于碳纳米管和导电膜之间，所述碳纳米管、半导体层与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
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