[发明专利]半导体结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201710375318.1 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933171B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 半导体器件 | ||
1.一种半导体结构，其包括:
一半导体层，所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面；
一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体层的第一表面，所述碳纳米管的外表面贴合设置于所述第一表面；
一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面，使半导体层设置于碳纳米管和导电膜之间，所述碳纳米管、半导体层与导电膜相互层叠形成一多层立体结构；
其中，所述半导体结构为基于碳纳米管的不对称范德华异质结构，所述半导体层为一二维结构，其被不对称地夹在所述碳纳米管和所述导电膜之间。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述碳纳米管为金属型碳纳米管。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多层立体结构的横截面面积在1nm2～100nm2之间。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层的厚度为1纳米～200纳米。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层的材料为砷化镓、碳化硅、多晶硅、单晶硅、萘或硫化钼。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电膜的沉积方法包括离子溅射、磁控溅射或其它镀膜方法。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述导电膜的厚度为5纳米～100纳米。
9.一种半导体器件，该半导体器件包括一第一电极、一第二电极、一第三电极及一半导体结构；该半导体结构与该第一电极和第二电极电连接，该第三电极通过一绝缘层与该半导体结构、第一电极及第二电极绝缘设置，用于控制所述半导体结构；所述半导体结构包括：
一半导体层，该半导体层的厚度为1～100纳米，所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面；
一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体层的第一表面，所述碳纳米管的外表面贴合设置于所述第一表面；
一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面，使半导体层设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体层与导电膜相互层叠形成一多层立体结构；
其中，所述半导体结构为基于碳纳米管的不对称范德华异质结构，所述半导体层为一二维结构，其被不对称地夹在所述碳纳米管和所述导电膜之间；
其中，所述碳纳米管设置于绝缘层的表面，使绝缘层位于碳纳米管和第三电极之间。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极与碳纳米管电连接，所述第二电极与所述导电膜电连接。
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