[发明专利]一种半导体的切割方法在审

专利信息
申请号: 201710374770.6 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN107030910A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 武小宇 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;B24B27/06
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及半导体材料加工技术领域,具体涉及一种半导体的切割方法。本发明的目的是要克服现有技术存在的切割效率低和表面质量不高的问题。为达到本发明的目的,本发明提供的一种半导体切割方法,是使用带有金刚石磨粒的线锯电极,使其与工件发生轻微的接触,接触的触弯距离大概是50‑100μm,并在线锯电极和工件两端施加脉冲电压产生火花放电,用金刚石磨粒和电火花共同去除材料。本发明将电火花切割技术和金刚石线锯切割技术结合起来对半导体单晶Si进行切割,能在提高切割效率的同时,改善表面质量。可适用于硅、锗、砷化镓等半导体材料的切割。
搜索关键词: 一种 半导体 切割 方法
【主权项】:
一种半导体的切割方法,其特征在于:使用带有金刚石磨粒的线锯电极,使其与工件发生轻微的接触,并在线锯电极和工件两端施加脉冲电压产生火花放电,用金刚石磨粒和电火花共同去除材料。
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