[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710374695.3 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933166B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/78;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：一第一电极、一第二电极、一第三电极及一半导体元件；该半导体元件与该第一电极和第二电极电连接，该第三电极通过一绝缘层与该半导体元件、第一电极及第二电极绝缘设置；所述半导体元件包括：一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构；其中，所述第一电极与碳纳米管电连接，所述第二电极与导电膜电连接。
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