[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710374695.3 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933166B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/78;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其包括：一第一电极、一第二电极、一第三电极及一半导体元件；该半导体元件与该第一电极和第二电极电连接，该第三电极通过一绝缘层与该半导体元件、第一电极及第二电极绝缘设置并用于控制所述半导体元件；所述半导体元件包括：
一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；
一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；
一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构；
其中，所述第一电极与所述碳纳米管电连接，所述第二电极与所述导电膜电连接，所述半导体元件为一基于碳纳米管的不对称范德华异质结构，所述半导体结构为一二维结构，其被不对称的夹在所述碳纳米管和所述导电膜之间。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述碳纳米管为金属型碳纳米管。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多层立体结构的横截面面积在1平方纳米～100平方纳米之间。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体结构的厚度为1纳米～100纳米。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电膜的沉积方法包括离子溅射、磁控溅射或其它镀膜方法。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电膜的厚度为5纳米～100纳米。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体结构的第一表面为P型半导体层的表面，第二表面为N型半导体层的表面。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体结构的第一表面为N型半导体层的表面，第二表面为P型半导体层的表面。
10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述P型半导体层和N型半导体层层叠设置形成一P-N结。
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