[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710367672.X | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107887326B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈步芳;卢一斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
在制造半导体器件的方法中，对衬底实施热处理，从而在衬底的上层中形成无缺陷层，其中衬底的剩余层是块状层。块状层中的缺陷的密度等于或大于1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：对衬底实施热处理，从而在所述衬底的上层中形成无缺陷层，所述衬底的剩余层为块状层，所述块状层包含作为缺陷的块状微缺陷并且所述块状层中的缺陷的密度等于或大于1×108cm‑3；在所述无缺陷层上方形成电子器件；在所述无缺陷层中形成开口，使得所述开口不到达所述块状层；用导电材料填充所述开口，从而形成通孔；以及去除所述块状层，使得暴露所述通孔的底部，其中，所述无缺陷层中的缺陷的密度小于100cm‑3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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