[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

对衬底实施热处理，从而在所述衬底的上层中形成无缺陷层，所述衬底的剩余层为块状层，所述块状层包含作为缺陷的块状微缺陷并且所述块状层中的缺陷的密度等于或大于1×10⁸cm^-3；

在所述无缺陷层上方形成电子器件；

在所述无缺陷层中形成开口，使得所述开口不到达所述块状层；

用导电材料填充所述开口，从而形成通孔；以及

去除所述块状层，使得暴露所述通孔的底部，

其中，所述无缺陷层中的缺陷的密度小于100cm^-3。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无缺陷层中的所述缺陷的密度是零。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述电子器件之前，所述无缺陷层的厚度在从30μm至200μm的范围内。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述开口的深度是所述无缺陷层的厚度的70％至90％。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述热处理中，在从1010℃至1040℃的范围内的温度处加热所述衬底。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述热处理实施的时间周期在从10秒至15秒的范围内。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在实施所述热处理之后，以从15℃/秒至25℃/秒的范围内的冷却速率实施冷却工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在从1200℃至1250℃的范围内的温度处实施所述热处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述导电材料填充所述开口包括：

形成阻挡层；以及

在所述阻挡层上形成主导电层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述阻挡层包括TiN、Ti、TaN和Ta的至少一种，并且所述主导电层包括Cu或Cu合金。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将具有连接端子的另一衬底附接至所述衬底的底面，其中，暴露所述通孔，使得暴露的通孔连接至所述连接端子。

12.一种制造半导体器件的方法，包括：

在具有无缺陷层和块状层的衬底上方形成电子器件，所述块状层包含作为缺陷的块状微缺陷并且所述块状层中的缺陷的密度等于或大于1×10⁸cm^-3；

在所述无缺陷层中形成开口，使得所述开口不到达所述块状层；

用导电材料填充所述开口，从而形成通孔；以及

去除所述块状层，使得暴露所述通孔的底部，

其中，所述无缺陷层中的缺陷的密度小于100cm^-3。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述无缺陷层是形成在所述块状层上的外延层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述无缺陷层中的所述缺陷的密度是零。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述电子器件之前，所述无缺陷层的厚度在从30μm至200μm的范围内。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述开口的深度是所述无缺陷层的厚度的70％至90％。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，用所述导电材料填充所述开口包括：

形成阻挡层；以及

在所述阻挡层上形成主导电层。