[发明专利]等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201710367196.1 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107424899A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 西岛贵史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 等离子体处理装置的等离子体处理方法目的在于在容许范围内降低倾斜角度的变化量。该等离子体处理装置包括可真空排气的处理容器；载置被处理基板的下部电极；配置于下部电极周围的聚焦环；与下部电极相对设置的内侧上部电极；与内侧上部电极电绝缘且配置于其外侧的外侧上部电极；在内侧与外侧上部电极之间配置于聚焦环的上方的石英部件；向内侧和外侧上部电极与下部电极之间的处理空间供给处理气体的气体供给部；通过高频放电向下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极施加用于生成处理气体的等离子体的第一高频电力的第一高频供电部；向外侧上部电极施加可变的第一直流电压的第一直流供电部；和控制第一直流电压以降低倾斜角度变化量的控制部。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理装置的等离子体处理方法，其特征在于：所述等离子体处理装置包括：能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板的下部电极；配置于所述下部电极的周围的聚焦环；在所述处理容器内与所述下部电极相对配置的内侧上部电极；在所述处理容器内与所述内侧上部电极电绝缘且配置于该内侧上部电极的外侧的外侧上部电极；配置在所述内侧上部电极与所述外侧上部电极之间且配置于所述聚焦环的上方的石英部件；向所述内侧上部电极和所述外侧上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体的气体供给部；通过高频放电向所述下部电极或所述内侧上部电极和所述外侧上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的第一高频电力的第一高频供电部；向所述外侧上部电极施加可变的第一直流电压的第一直流供电部；和对所述第一直流电压进行控制的控制部，所述控制部对所述第一直流电压进行控制以降低倾斜角度的变化量。
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