[发明专利]一种CMOS反相器跨导系数的测量装置和方法有效

专利信息
申请号: 201710364011.1 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN107144775B 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 刘刚;李静月;王泉;刘锦辉;刘太彬 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 韦全生;王品华
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出了一种CMOS反相器跨导系数的测量装置和方法,用于解决现有技术中存在的不能直接测量CMOS反相器的跨导系数的技术问题。第二直流电源为待测CMOS反相器电源端施加直流电压;闭合第一开关和第三开关,同时断开第二开关;第一直流电源为待测CMOS反相器输入端施加直流电压;通过测量NMOS处于导通且PMOS处于截止状态下的负载电阻的电流和电压,计算NMOS的跨导系数Kn;断开第一开关和第三开关,同时闭合第二开关;通过测量PMOS处于导通且NMOS处于截止状态下的负载电阻的电流和电压,计算PMOS的跨导系数Kp。本发明测量效率高,可操作性强。可用于集成电路设计和仿真中跨导系数的提取和分析。
搜索关键词: 一种 cmos 反相器跨导 系数 测量 装置 方法
【主权项】:
一种CMOS反相器跨导系数的测量装置,其特征在于,包括第一直流电源、第二直流电源、负载电阻、电压表、电流表、第一开关、第二开关和第三开关;所述第一直流电源的正极通过第一开关与待测CMOS反相器输入端连接,负极通过第二开关后分为两路,一路依次通过电流表和负载电阻与待测CMOS反相器的输出端连接,另一路与第三开关连接;所述第二直流电源的正极与待测CMOS反相器的电源端及第三开关连接,负极接地;所述电压表与负载电阻并联;其中:第一直流电源,用于提供待测CMOS反相器的输入电压;第二直流电源,用于提供待测CMOS反相器的电源电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710364011.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top