[发明专利]一种CMOS反相器跨导系数的测量装置和方法

权利要求书

1.一种CMOS反相器跨导系数的测量装置，其特征在于，包括第一直流电源、第二直流电源、负载电阻、电压表、电流表、第一开关、第二开关和第三开关；所述第一直流电源的正极通过第一开关与待测CMOS反相器输入端连接，负极通过第二开关后分为两路，一路依次通过电流表和负载电阻与待测CMOS反相器的输出端连接，另一路与第三开关连接；所述第二直流电源的正极与待测CMOS反相器的电源端及第三开关连接，负极接地；所述电压表与负载电阻并联；其中：

第一直流电源，用于提供待测CMOS反相器的输入电压；

第二直流电源，用于提供待测CMOS反相器的电源电压。

2.一种根据权利要求1所述的测量装置对CMOS反相器跨导系数进行测量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)第二直流电源为待测CMOS反相器电源端施加直流电压V_dd；

(2)闭合第一开关和第三开关，同时断开第二开关；

(3)第一直流电源为待测CMOS反相器输入端施加直流电压V_in；

(4)电流表和电压表测量NMOS处于导通且PMOS处于截止状态下的负载电阻的电流I_Rn和负载电阻两端的电压V_Rn；

(5)通过电流I_Rn和电压V_Rn，计算NMOS的跨导系数K_n；

(6)断开第一开关和第三开关，同时闭合第二开关；

(7)电流表和电压表测量PMOS处于导通且NMOS处于截止状态下的负载电阻的电流I_Rp和负载电阻两端的电压V_Rp；

(8)通过电流I_Rp和电压V_Rp，计算PMOS的跨导系数K_p。

3.根据权利要求2所述的对CMOS反相器跨导系数进行测量的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的NMOS的跨导系数K_n，其计算公式为：

其中，V_thn是NMOS的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的对CMOS反相器跨导系数进行测量的方法，其特征在于，步骤(8)所述的PMOS的跨导系数K_p，其计算公式为：

其中，V_thp是PMOS的阈值电压。