[发明专利]一种紫外LED倒装芯片

摘要

本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。

主权项

一种紫外LED倒装芯片，其特征在于，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；所述芯片外延层设为三明治结构，包括通过外延生长工艺由上而下依次设置的衬底、缓冲层、未掺杂型AlGaN层、n型AlGaN层、量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层、n电极和p电极；所述芯片外延层的一侧通过刻蚀工艺去除量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN层的一部分，从而形成n型半导体区域和p型半导体区域；所述n型半导体区域内设有贯穿整个n型AlGaN层的第一内部接触层和用于包裹第一内部接触层的第一绝缘层；所述n电极的一端分别与第一内部接触层和n型AlGaN层连接，另一端连接在布线层上；所述p型半导体区域内设有多个第二内部接触层和用于包裹第二内部接触层的第二绝缘层，所述第二内部接触层和第二绝缘层从n型AlGaN层向下依次贯穿至p型GaN层；所述p电极的一端与第二内部接触层连接，另一端固定连接在布线层上；所述第一内部接触层的直径小于n电极，所述第二内部接触层的直径小于p电极；所述布线层上设有用于隔离n电极和p电极的隔离跑道。