[发明专利]一种紫外LED倒装芯片

权利要求书

1.一种紫外LED倒装芯片，其特征在于，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；

所述芯片外延层设为三明治结构，包括通过外延生长工艺由上而下依次设置的衬底、缓冲层、未掺杂型AlGaN层、n型AlGaN层、量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层、n电极和p电极；所述芯片外延层的一侧通过刻蚀工艺去除量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN层的一部分，从而形成n型半导体区域和p型半导体区域；所述n型半导体区域内设有贯穿整个n型AlGaN层的第一内部接触层和用于包裹第一内部接触层的第一绝缘层；所述n电极的一端分别与第一内部接触层和n型AlGaN层连接，另一端连接在布线层上；所述p型半导体区域内设有多个第二内部接触层和用于包裹第二内部接触层的第二绝缘层，所述第二内部接触层和第二绝缘层从n型AlGaN层向下依次贯穿至p型GaN层；所述p电极的一端与第二内部接触层连接，另一端固定连接在布线层上；所述第一内部接触层的直径小于n电极，所述第二内部接触层的直径小于p电极；

所述布线层上设有用于隔离n电极和p电极的隔离跑道；

所述芯片外延层还包括提高出光率的反射层，所述反射层设置在p型GaN层与p电极之间；所述第二内部接触层和第二绝缘层均贯穿所述反射层；

所述芯片外延层还包括用于加快芯片散热的透明导电层；所述透明导电层设置在反射层与p电极之间；所述第二内部接触层贯穿所述透明导电层；

所述芯片外延层还包括用于提高出光效率的电流扩展层和电子阻挡层；所述电流扩展层设置在n型AlGaN层与量子阱有源区之间，所述电子阻挡层设置在量子阱有源区与p型AlGaN层之间；

所述芯片外延层还包括成核层和AlN/AlGaN超晶格；所述成核层设置在缓冲层与未掺杂型AlGaN层之间，所述AlN/AlGaN超晶格设置在未掺杂型AlGaN层与n型AlGaN层之间；

所述芯片外延层还包括钝化层，所述钝化层用于将n电极与p电极隔离；

所述p电极和第二内部接触层的数量均设为三组；

所述n电极设为用于提高散热面积、防止电极表面漏电的倒L型或Z型结构。

2.根据权利要求1所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述芯片外延层还包括导电银浆层和AlN层；所述导电银浆层和AlN层自下而上依次设置在基板与布线层之间。