[发明专利]无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710351449.6 申请日: 2017-05-18
公开(公告)号: CN106950200A 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 刘钢;许浩 申请(专利权)人: 量准(上海)实业有限公司
主分类号: G01N21/59 分类号: G01N21/59
代理公司: 北京金蓄专利代理有限公司11544 代理人: 马贺
地址: 200233 上海市徐汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法,包括如下步骤(1)准备锥形纳米柱模具,在所述模具表面均匀分布对苯二甲酸乙二醇酯片材;(2)在紫外光下进行固化,形成周期性纳米孔模式的对苯二甲酸乙二醇酯衬底;(3)将模具内形成的衬底从模具中剥离出来,在锥形纳米柱内表面形成第一金属层,在所述第一金属层上表面形成绝缘层,再将金属沉积于所述绝缘层上表面形成第二金属层,由此形成内嵌于所述锥形纳米柱衬底的纳米光学谐振腔。本发明提供一种操作简单、条件可控的方法得到检测灵敏度高、便于携带的等离激元共振传感器,为实现早期发现疾病生物标记物的便携式医用生物传感器的开提供基础。
搜索关键词: 变频 三维 阵列 等离子 共振 传感器 制备 方法
【主权项】:
一种无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)准备锥形纳米柱模具,在所述模具表面均匀分布对苯二甲酸乙二醇酯片材;(2)在紫外光下进行固化,形成周期性纳米孔模式的对苯二甲酸乙二醇酯衬底;(3)将模具内形成的衬底从模具中剥离出来,通过电子束蒸发法将金属沉积在所述衬底上表面,并在锥形纳米柱内表面形成第一金属层,通过射频溅射法在所述第一金属层上表面形成绝缘层,再通过电子束蒸发法将金属沉积于所述绝缘层上表面形成第二金属层,由此形成内嵌于所述锥形纳米柱衬底的纳米光学谐振腔。
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