[发明专利]无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法

权利要求书

1.一种无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)准备锥形纳米柱模具，在所述模具表面均匀分布对苯二甲酸乙二醇酯片材；

(2)在紫外光下进行固化，形成周期性纳米孔模式的对苯二甲酸乙二醇酯衬底；

(3)将模具内形成的衬底从模具中剥离出来，通过电子束蒸发法将金属沉积在所述衬底上表面，并在锥形纳米柱内表面形成第一金属层，通过射频溅射法在所述第一金属层上表面形成绝缘层，再通过电子束蒸发法将金属沉积于所述绝缘层上表面形成第二金属层，由此形成内嵌于所述锥形纳米柱衬底的纳米光学谐振腔。

2.根据权利要求1所述的无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中通过电子束蒸发法将钛金沉积在所述衬底上表面，在锥形纳米柱内表面形成第一金属层。

3.根据权利要求1所述的无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中通过射频溅射法将硫化镉或二氧化硅沉积于所述第一金属层上表面形成绝缘层。

4.根据权利要求1所述的无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中通过电子束蒸发法将金沉积于所述绝缘层上表面形成第二金属层。

5.根据权利要求1至4任一所述的无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，所述衬底为锥形杯状，其空腔深度为250～1000nm，所述第一金属层厚度为20～120nm，绝缘层厚度为20nm，所述第二金属层厚度为20～120nm。

6.根据权利要求5所述的无变频三维阵列等离子共振传感器，其特征在于，所述衬底的空腔深度为300nm，所述第一金属层厚度为90nm，绝缘层厚度为20nm，所述第二金属层厚度为90nm。

7.根据权利要求1所述的无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，所述模具为在石英材料上通过光刻工艺制得锥形纳米柱模型。

8.根据权利要求1所述的无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，所述固化时间为30秒至5分钟。

9.根据权利要求8所述的无变频三维阵列等离子共振传感器的制备方法，其特征在于，所述固化时间为2分钟。