[发明专利]基于横向结构发光二极管在审
| 申请号： | 201710347695.4 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107170859A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于横向结构发光二极管，包括SOI衬底；Ge外延层，设置于SOI衬底的上表面；GeSn层，设置于Ge外延层的上表面的中间位置处；N型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于GeSn层一侧；P型Ge区域，由Ge外延层掺杂形成，位于GeSn层另一侧；P型Ge区域、GeSn层和N型Ge区域形成脊形横向的PiN结构正电极，设置于P型Ge区域的上表面；负电极，设置于N型Ge区域的上表面，以形成基于横向结构发光二极管。本发明提供的基于横向结构发光二极管，利用Ge外延层位错密度低的优点，利用p+‑Ge/直接带隙GeSn/n+‑Ge的横向结构发光二极管，极大地提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 横向 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种基于横向结构发光二极管(1)，其特征在于，包括：SOI衬底(11)；Ge外延层(12)，设置于所述SOI衬底(11)的上表面；GeSn层(13)，设置于所述Ge外延层(12)的上表面的中间位置处；N型Ge区域(14)，由所述Ge外延层(12)掺杂形成，位于所述GeSn层(13)一侧；P型Ge区域(15)，由所述Ge外延层(12)掺杂形成，位于所述GeSn层(13)另一侧；所述P型Ge区域(15)、所述GeSn层(13)和所述N型Ge区域(14)形成脊形横向的PiN结构：正电极(16)，设置于P型Ge区域(15)的上表面；负电极(17)，设置于N型Ge区域(14)的上表面，以形成所述基于横向结构发光二极管(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门科锐捷半导体科技有限公司，未经厦门科锐捷半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710347695.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
