[发明专利]近场用噪声抑制片在审
| 申请号： | 201710346648.8 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107377960A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 蔵前雅规 | 申请（专利权）人： | 株式会社理研 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;C22C38/10;C22C38/06;C22C38/04;C22C38/02;C22C38/08;H01F1/147;H01F7/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 方应星,高培培 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种近场用噪声抑制片，其虚部导磁率μ”的分布从GHz带域上升，且即使噪声抑制片的厚度较薄也具有对于抑制GHz带域下的噪声而言充分的大小的虚部导磁率μ”值。本发明的近场用噪声抑制片的特征在于，包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的扁平状的FeMn合金粉末，所述FeMn合金粉末中的Mn的浓度为2质量％以上且20质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 近场 噪声 抑制 | ||
【主权项】：
一种近场用噪声抑制片，其特征在于，所述近场用噪声抑制片包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的扁平状的FeMn合金粉末，所述FeMn合金粉末中的Mn的浓度为2质量％以上且20质量％以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理研，未经株式会社理研许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710346648.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：镶铸用构件
- 下一篇：一种粉末冶金减摩轴承的制备方法
