[发明专利]近场用噪声抑制片

说明书

本发明提供一种近场用噪声抑制片，其虚部导磁率μ”的分布从GHz带域上升，且即使噪声抑制片的厚度较薄也具有对于抑制GHz带域下的噪声而言充分的大小的虚部导磁率μ”值。本发明的近场用噪声抑制片的特征在于，包括由有机物构成的基材和担载于所述基材中的扁平状的FeMn合金粉末，所述FeMn合金粉末中的Mn的浓度为2质量％以上且20质量％以下。

技术领域

本发明涉及为了抑制电子设备或通信设备的多余的放射电磁波(噪声)而使用的近场用噪声抑制片。

背景技术

近年来，伴随着电子设备或通信设备的小型化、轻量化，装配于电子电路的部件的安装密度也升高。因此，以从电子部件放射的电磁波噪声为起因，在电子部件彼此间或电子电路彼此间产生电磁波干涉而引起的电子设备或通信设备的误动作成为问题。

为了防止该问题，在设备等上安装将多余的放射电磁波(噪声)转换成热量的近场用噪声抑制片。该噪声抑制片的厚度为0.1mm～2mm，因此能够插入于电子部件或电子电路附近，加工容易且形状自由度也高。因此，噪声抑制片能够适应于电子设备或通信设备的小型化、轻量化，广泛地使用作为电子设备或通信设备的噪声应对部件。

典型性的噪声抑制片由加工成扁平状的软磁性合金粉末和有机结合剂构成，通过由软磁性合金粉末的磁共振引起的磁损失将噪声转换成热量。由此，噪声抑制片的噪声抑制性能依赖于噪声抑制片包含的软磁性合金粉末的导磁率。通常，导磁率使用实部导磁率μ’和虚部导磁率μ”而由复数导磁率μ＝μ’-j·μ”表示，但是在噪声抑制片那样利用磁损失的情况下，虚部导磁率μ”变得重要。即，虚部导磁率μ”遍及要吸收的电磁波噪声的频带进行分布的情况至关重要。以下，在本说明书中，将虚部导磁率μ”相对于频率的分布称为“μ”分散”。

专利文献1记载了在包含树脂和扁平状的软磁性金属粉末的近场用电磁波吸收片中，使用FeCo合金粉末、FeNi合金粉末或FeCoNi合金粉末作为软磁性金属粉末的情况。而且，记载了也可以使用将这3种合金粉末和Fe单体的粉末这总计4种粉末中的至少2种以上混合而成的混合粉末作为软磁性金属粉末的情况。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本专利第5700869号

发明内容

【发明要解决的课题】

近年来，电子设备或通信设备的高性能化急速发展，使用的频率处于日益升高的倾向。例如，在个人计算机中要求进一步的高速化，CPU的驱动频率要达到GHz带。而且，在无线LAN等通信设备中处理的数字内容的容量增大，通信频率也是GHz带逐渐成为主导。此外，数字TV广播或道路交通信息系统等卫星通信也急速扩大，泛在网络时代正在逐步实现。这样的信息通信设备的多功能化、融合不断推进，另一方面，从电子设备或通信设备放射的多余的电磁波噪声的频率也升高，该电磁波噪声引起的功能干涉或误动作也比以往增加而令人担心。因此，为了能够有效地吸收GHz带域的电磁波噪声，需要使噪声抑制片的μ”分散从GHz带域上升。

另外，噪声抑制效果依赖于噪声抑制片的厚度，噪声抑制片的厚度越厚，则噪声抑制效果越高。另一方面，近年来的电子设备或通信设备的轻薄短小化加速，关于手机或平板终端等的噪声应对所使用的噪声抑制片也要求薄壁化。因此，为了即使噪声抑制片的厚度较薄而在GHz带域也能够发挥优异的噪声抑制效果，需要尽可能地增大噪声抑制片的GHz带域的导磁率，尤其是GHz带域的虚部导磁率μ”的值(以下，称为“μ”值”。)。