[发明专利]存储系统和存储器件有效
申请号: | 201710342461.0 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN107274925B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;H01L43/08;H01L27/22 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及存储系统和存储器件。存储系统包括:存储器件,包括多个存储单元;驱动电路,被配置为控制所述存储单元;以及存储控制单元,被配置为在所述存储器件记录数据之前,向所述存储器件提供待机电流,其中,所述存储单元中的每一个包括存储层、磁化固定层、包括非磁性材料的设置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层、设置在所述存储层上方的顶部电极、设置在所述磁化固定层上方的底部电极;其中,电流被配置为在所述顶部电极与所述底部电极之间在层压方向上流动。 | ||
搜索关键词: | 存储系统 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种存储系统,包括:存储器件,包括多个存储单元;驱动电路,被配置为控制所述存储单元;以及存储控制单元,被配置为在所述存储器件记录数据之前,向所述存储器件提供待机电流,其中,所述存储单元中的每一个包括存储层、磁化固定层、包括非磁性材料的设置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层、设置在所述存储层上方的顶部电极、设置在所述磁化固定层上方的底部电极;其中,电流被配置为在所述顶部电极与所述底部电极之间在层压方向上流动。
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