[发明专利]存储系统和存储器件

权利要求书

1.一种存储系统，包括：

存储器件，包括多个存储单元；

驱动电路，被配置为控制所述存储单元；以及

存储控制单元，被配置为在所述存储器件记录数据之前，向所述存储器件提供待机电流，

其中，所述存储单元中的每一个包括存储层、磁化固定层、包括非磁性材料的设置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层、设置在所述存储层上方的顶部电极、设置在所述磁化固定层上方的底部电极；

其中，电流被配置为在所述顶部电极与所述底部电极之间在层压方向上流动，

其中，所述存储层包括：

第一铁磁层、连接层和第二铁磁层，所述第一铁磁层、所述连接层和所述第二铁磁层按照该顺序层压，

在所述存储层中，经由所述连接层的所述第一铁磁层与所述第二铁磁层之间的连接强度被设定为使得所述第一铁磁层和所述第二铁磁层两者的磁化在没有电流在所述层压方向上流动到所述存储器件的平衡状态下指向垂直方向。

2.根据权利要求1所述的存储系统，进一步包括：

配线，被配置为向所述存储器件提供所述电流。

3.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储控制单元被配置为当记录电流流到待记录的所述存储器件的周期与所述待机电流流到待记录的所述存储器件的周期重叠时，控制经由配线的对所述存储器件的电流供应。

4.根据权利要求3所述的存储系统，其中，

所述存储控制单元被配置为通过如下步骤来存储信息：使预定电平的所述待机电流流动到所述存储器件以使所述存储层的磁化方向从垂直于膜表面的方向倾斜，并且使高于所述待机电流的所述记录电流流动以改变所述存储层的磁化方向。

5.根据权利要求4所述的存储系统，其中，

所述存储单元中的每一个包括覆盖层，

其中，所述第一铁磁层经由所述连接层磁性连接到所述第二铁磁层，

其中，所述第一铁磁层与所述中间层接触，

其中，所述第二铁磁层与所述覆盖层接触，

其中，所述第一铁磁层和所述第二铁磁层中的一个是面内磁化占主导地位的面内磁化层，并且

其中，另一个是垂直磁化占主导地位的垂直磁化层。

6.根据权利要求5所述的存储系统，其中，

所述第一铁磁层是所述面内磁化层，并且所述第二铁磁层是所述垂直磁化层。

7.根据权利要求6所述的存储系统，其中，

在所述待机电流流动时，所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度大于所述第二铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度。

8.根据权利要求5所述的存储系统，其中，

所述第一铁磁层是所述垂直磁化层，并且所述第二铁磁层是所述面内磁化层。

9.根据权利要求8所述的存储系统，其中，

在所述待机电流流动时，所述第一铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度小于所述第二铁磁层的磁化与垂直于所述膜表面的方向之间的角度。

10.根据权利要求5所述的存储系统，其中，

所述覆盖层包括氧化物层。

11.根据权利要求5所述的存储系统，其中，

所述第一铁磁层和所述第二铁磁层包括Co-Fe-B层。

12.根据权利要求1所述的存储系统，其中，

所述中间层包括隧道绝缘层。