[发明专利]基于SOI基片的薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710342092.5 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107222181A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张树民;王国浩;房华 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H3/02;H03H3/007 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种薄膜体声波谐振器(FBAR)及其加工方法。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极。其制造加工方法的特征是在硅衬底上生长缓冲层，物理气相沉积生长底电极、压电材料和顶电极，形成压电薄膜换能器堆叠结构。然后将带有空腔的绝缘体硅基片与压电薄膜换能器堆叠结构进行键合，形成空气腔，最终剥离原先硅衬底。相比于其它薄膜体声波谐振器结构，本发明采用预设的空腔结构，有利于减少传统空腔刻蚀过程中形成的粘连和机械结构断裂、损伤，能有效地提高器件生产良率，适合批量生产。由于预制的空腔宽度大于压电薄膜换能器堆叠结构的水平宽度，该设计亦能对薄膜体声波谐振器的横向杂波有很好的抑制作用，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述谐振器包括带空腔的绝缘体硅基片和压电薄膜换能器堆叠结构；所述压电薄膜换能器堆叠结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠，所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝缘体硅基片的空腔中，所述压电薄膜换能器与绝缘体硅基片通过键合形成封闭空腔结构。
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