[发明专利]基于SOI基片的薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710342092.5 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107222181A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张树民;王国浩;房华 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H3/02;H03H3/007 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 soi 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于：
所述谐振器包括带空腔的绝缘体硅基片和压电薄膜换能器堆叠结构；所述压电薄膜换能器堆叠结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠，所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝缘体硅基片的空腔中，所述压电薄膜换能器与绝缘体硅基片通过键合形成封闭空腔结构。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极、所述底电极的引出部分位于同一平面上。
3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极、所述底电极包括钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一或者组合。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电材料包括氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)之一或者组合。
5.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在转移基板上制备压电薄膜换能器堆叠结构；
制备带空腔的绝缘体硅基片；
所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述空腔中、键合所述压电薄膜换能器堆叠结构与所述带空腔的绝缘体硅基片，形成封闭的空腔结构；
剥离所述转移基板，形成空腔型薄膜体声波谐振器。
6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：还包括在所述转移基板上沉积缓冲层的步骤，所述缓冲层用于剥离所述转移基板。
7.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述压电薄膜换能器堆叠结构包括依次堆叠的底电极、压电材料、顶电极。
8.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：还包括在所述带空腔的绝缘体硅基片上形成键合金属层的步骤。
9.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述缓冲层包括二氧化硅。
10.一种通信器件，包括权利要求1-4所述的薄膜体声波谐振器。
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