[发明专利]一种电源保护电路在审

专利信息
申请号: 201710339801.4 申请日: 2017-05-15
公开(公告)号: CN108879648A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 张浩;李先银;李剑钊;张勇进;宋震煜;马海波 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种电源保护电路,涉及电子技术领域,用于防止电源线正负极接反或者电源线负极脱落导致的负载设备外壳带电。电源保护电路包括:开关控制电路和负极防反向电路;开关控制电路包括第一电阻、第二电阻、第一MOSFET,第一MOSFET为P沟道MOSFET,第一MOSFET的源极以及第一电阻的第一端连接至电源保护电路的第一输入端,第一MOSFET的栅极连接至第一电阻的第二端以及第二电阻的第一端,第一MOSFET的漏极连接至负载设备的正极,第二电阻的第二端以及负极防反向电路的第一端连接至电源保护电路的第二输入端,负极防反向电路的第二端连接至负载设备的负极;第一MOSFET的栅源极开启电压Vth1、第一电阻的阻值R1和第二电阻的阻值R2满足:‑Vin*R1/(R1+R2)<Vth1<0。本发明实施例应用于车载设备。
搜索关键词: 电阻 电源保护电路 负极 反向电路 负载设备 第一端 开关控制电路 输入端 正极 电子技术领域 电源线负极 车载设备 开启电压 栅极连接 电源线 栅源极 正负极 带电 接反 漏极 源极 应用
【主权项】:
1.一种电源保护电路,其特征在于,包括开关控制电路和负极防反向电路;其中,所述开关控制电路包括第一电阻、第二电阻、第一金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET,所述第一MOSFET为P沟道MOSFET,所述第一MOSFET的源极以及所述第一电阻的第一端连接至所述电源保护电路的第一输入端,所述第一MOSFET的栅极连接至所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第一端,所述第一MOSFET的漏极连接至负载设备的正极,所述第二电阻的第二端以及所述负极防反向电路的第一端连接至所述电源保护电路的第二输入端,所述负极防反向电路的第二端连接至所述负载设备的负极;所述第一MOSFET的栅源极开启电压Vth1、所述第一电阻的阻值R1和所述第二电阻的阻值R2满足:‑Vin*R1/(R1+R2)<Vth1<0,其中,Vin为电源的输入电压;当所述电源的正极连接至所述第一输入端并且所述电源的负极连接至所述第二输入端时,所述负极防反向电路的第一端与第二端导通,所述第一MOSFET的源极与漏极导通,以使得所述电源通过所述电源保护电路向所述负载设备供电;当所述电源的正极连接至所述第一输入端并且所述电源的负极没有连接至所述第二输入端,或者,所述电源的负极连接至所述第一输入端并且所述电源的正极连接至所述第二输入端时,所述负极防反向电路的第一端与第二端截止,所述第一MOSFET的源极与漏极截止,以断开所述电源与所述负载设备的连接。
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