[发明专利]一种电源保护电路

权利要求书

1.一种电源保护电路，其特征在于，包括开关控制电路和负极防反向电路；其中，所述开关控制电路包括第一电阻、第二电阻、第一金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，所述第一MOSFET为P沟道MOSFET，所述第一MOSFET的源极以及所述第一电阻的第一端连接至所述电源保护电路的第一输入端，所述第一MOSFET的栅极连接至所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第一端，所述第一MOSFET的漏极连接至负载设备的正极，所述第二电阻的第二端以及所述负极防反向电路的第一端连接至所述电源保护电路的第二输入端，所述负极防反向电路的第二端连接至所述负载设备的负极；

所述第一MOSFET的栅源极开启电压V_th1、所述第一电阻的阻值R1和所述第二电阻的阻值R2满足：-V_in*R1/(R1+R2)＜V_th1＜0，其中，V_in为电源的输入电压；

当所述电源的正极连接至所述第一输入端并且所述电源的负极连接至所述第二输入端时，所述负极防反向电路的第一端与第二端导通，所述第一MOSFET的源极与漏极导通，以使得所述电源通过所述电源保护电路向所述负载设备供电；

当所述电源的正极连接至所述第一输入端并且所述电源的负极没有连接至所述第二输入端，或者，所述电源的负极连接至所述第一输入端并且所述电源的正极连接至所述第二输入端时，所述负极防反向电路的第一端与第二端截止，所述第一MOSFET的源极与漏极截止，以断开所述电源与所述负载设备的连接。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一MOSFET的栅极通过第五电阻连接至所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第一端。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻还并联有第一电容，所述第一电容的第一端连接至所述第一电阻的第一端，所述第一电容的第二端连接至所述第一电阻的第二端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻还并联有第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阴极连接至所述第一电阻的第一端，所述第一稳压二极管的阳极连接至所述第一电阻的第二端，所述第一稳压二极管的稳压值小于所述第一MOSFET的栅源极的最大耐压值。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一输入端与所述第二输入端之间还连接有双向瞬态抑制二极管TVS。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，在所述第一输入端与所述电源连接处还设置有第一保险丝，在所述第二输入端与所述电源连接处还设置有第二保险丝。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负极防反向电路包括：第三电阻、第四电阻、第二MOSFET，所述第二MOSFET为N沟道MOSFET，所述第二MOSFET的漏极为所述负极防反向电路的第一端，所述第二MOSFET的源极为所述负极防反向电路的第二端，所述第三电阻的第一端连接至所述负载设备的正极，所述第三电阻的第二端以及所述第四电阻的第一端连接至所述第二MOSFET的栅极，所述第四电阻的第二端连接至所述负载设备的负极；

所述第二MOSFET的栅源极开启电压V_th2、所述第三电阻的阻值R3和所述第四电阻的阻值R4满足：V_in*R4/(R3+R4)＞V_th2＞0，其中，V_in为所述电源的输入电压。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第四电阻还并联有第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阴极连接至所述第四电阻的第一端，所述第二稳压二极管的阳极连接至所述第四电阻的第二端，所述第二稳压二极管的稳压值小于所述第二MOSFET的栅源极的最大耐压值。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负极防反向电路包括：二极管，所述二极管的阳极为所述负极防反向电路的第二端，所述二极管的阴极为所述负极防反向电路的第一端。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述二极管为肖特基二极管。