[发明专利]OLED器件制造方法、OLED器件及显示面板在审
| 申请号: | 201710338338.1 | 申请日: | 2017-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN107146808A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
| 发明(设计)人: | 李晓虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 王辉,阚梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本公开是关于一种OLED器件制造方法、OLED器件及显示面板,该方法包括在衬底上形成第一电极层;在第一电极层上与像素界定层对应的位置处形成一层或多层无机膜;通过刻蚀方式调整所述一层或多层无机膜的刻蚀角,使得在形成第一有机层时所述第一有机层在刻蚀角处发生断裂;在无机膜上形成像素界定层;在第一电极层、无机膜以及像素界定层上形成第一有机层;以及在第一有机层上依次形成发光层、第二有机层以及第二电极层。本公开能够避免第一有机层的载流子在像素间的横向传输,减少了RGB像素间的串扰情况。 | ||
| 搜索关键词: | oled 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种OLED器件制造方法,其特征在于,包括:在衬底上形成第一电极层;在所述第一电极层上与像素界定层对应的位置处形成一层或多层无机膜;通过刻蚀方式调整所述一层或多层无机膜的刻蚀角,使得在形成第一有机层时所述第一有机层在所述刻蚀角处发生断裂;在所述无机膜上形成所述像素界定层;在所述第一电极层、所述无机膜以及所述像素界定层上形成所述第一有机层;以及在所述第一有机层上依次形成发光层、第二有机层以及第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





