[发明专利]OLED器件制造方法、OLED器件及显示面板在审
| 申请号: | 201710338338.1 | 申请日: | 2017-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN107146808A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
| 发明(设计)人: | 李晓虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人: | 王辉,阚梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种OLED器件制造方法、OLED器件以及显示面板。
背景技术
近年来,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术作为一种新型的平板显示技术逐渐受到更多的关注。由于OLED显示面板具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点,成为有可能代替液晶显示的下一代显示技术。
OLED显示面板包括阵列分布的不同颜色(如RGB三色)的子像素,在对OLED显示面板中的各OLED器件进行蒸镀时,空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)往往是通过掩膜完成蒸镀的,而目前蒸镀所用的空穴注入材料中载流子的横向传输速率较高,且不同颜色子像素间的点亮电压具有较大差异即压差,从而易于造成载流子的定向传输,使其他颜色的子像素同时点亮,这样在高分辨率显示屏中,极易造成RGB三色的串扰。
因此,需要提供一种能够解决上述问题中的一个或多个问题的OLED器件制造方法以及OLED器件。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种OELD器件制造方法、OLED器件以及显示面板,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
根据本公开的一个方面,提供了一种OLED器件制造方法,包括:
在衬底上形成第一电极层;
在所述第一电极层上与像素界定层对应的位置处形成一层或多层无机膜;
通过刻蚀方式调整所述一层或多层无机膜的刻蚀角,使得在形成第一有机层时所述第一有机层在所述刻蚀角处发生断裂;
在所述无机膜上形成所述像素界定层;
在所述第一电极层、所述无机膜以及所述像素界定层上形成所述第一有机层;以及
在所述第一有机层上依次形成发光层、第二有机层以及第二电极层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述无机膜为氮化硅膜或氧化硅膜。
在本公开的一种示例性实施例中,使得在形成第一有机层时所述第一有机层在所述刻蚀角处发生断裂包括:
在所述第一有机层包括空穴注入层和空穴传输层时,使得在形成所述空穴注入层时所述空穴注入层在所述刻蚀角处发生断裂。
在本公开的一种示例性实施例中,所述OLED器件制造方法还包括:
对所述像素界定层进行曝光以形成多个开口和多个像素间隔体。
在本公开的一种示例性实施例中,所述刻蚀角的角度为90度或负角度。
根据本公开的一个方面,提供一种OLED器件,包括:
衬底;
第一电极层,设置在所述衬底上;
一层或多层无机膜,设置在所述第一电极层上,所述无机膜具有预设刻蚀角;
像素界定层,设置在所述一层或多层无机膜上;
第一有机层,设置在所述第一电极层、所述无机膜以及所述像素界定层上,并且所述第一有机层在所述无机膜的所述预设刻蚀角处发生断裂;
依次设置在所述第一有机层上的发光层、第二有机层以及第二电极。
在本公开的一种示例性实施例中,所述无机膜为氮化硅膜或氧化硅膜。
在本公开的一种示例性实施例中,所述预设刻蚀角的角度为90度或负角度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一电极层为氧化铟锡/银/氧化铟锡复合层。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,包括根据上述任意一项所述的OLED器件。
根据本公开的示例实施例的OLED器件制造方法、OLED器件以及显示面板,一方面,在像素界定层下增加一层或多层无机膜,使第一有机层在无机膜的刻蚀角处发生断裂,能够避免第一有机层的载流子在像素间的横向传输,减少了RGB像素间的串扰情况;另一方面,由于增加无机膜层是在蒸镀流程开始前进行的,能够减少对蒸镀流程的干扰。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





